綠色電源需求加大助推高性能功率器件走俏

作者：峰恒普洛 時(shí)間：2015-07-03

在節(jié)能和綠色的大趨勢(shì)下、在各機(jī)構(gòu)和政府制定的規(guī)范推動(dòng)下，電源和電子設(shè)備必須遵守強(qiáng)制性能效規(guī)范，以及智能便攜設(shè)備小型化多功能的發(fā)展趨勢(shì)，要求電源 與電源管理必須提高電源效率、降低待機(jī)功耗、改善功率因數(shù)、高功率密度、高可靠性、高集成度、小尺寸、智能化、安全和低成本。電源制造商、半導(dǎo)體制造商均 積極開(kāi)發(fā)能夠提高效率的新型解決方案。

由于增加了便攜式設(shè)備的使用，在目前的電力系統(tǒng)中，對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)（3G / LTE & LTE-A通訊網(wǎng)絡(luò)）和云系統(tǒng)的各種需求正成為核心議題。因此，針對(duì)電信基礎(chǔ)建設(shè)和計(jì)算包括云系統(tǒng)，對(duì)于能夠滿足來(lái)自電源管理應(yīng)用各種要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品和 電子產(chǎn)品需求也已增加。尤其在大中華區(qū)，華為（Huawei）、中興（ZTE）和聯(lián)想（Lenovo）專注于電信和計(jì)算電源業(yè)務(wù)。

為了滿足此市場(chǎng)中對(duì)更高功率等級(jí)、效率、功率密度等要求，半導(dǎo)體供應(yīng)商正致力于為市場(chǎng)提供采用小型化封裝的高開(kāi)關(guān)速度、大電流、低RDS（ON）的SJ/MV MOS， IGBT器件。

而且，來(lái)自目前材料（例如，硅）的上述既有器件的局限性可以通過(guò)下一代寬帶隙半導(dǎo)體產(chǎn)品，比如SiC和GaN開(kāi)關(guān)來(lái)克服，它們將會(huì)在不久的將來(lái)應(yīng)用于這個(gè)市場(chǎng)中。
以高性能IGBT、MOSFET解決功率管理的挑戰(zhàn)

功率管理的發(fā)展重心將逐漸集中在能效方面。飛兆半導(dǎo)體的高能效解決方案在應(yīng)對(duì)當(dāng)前功率管理挑戰(zhàn)方面扮演著關(guān)鍵的角色。飛兆半導(dǎo)體推出的場(chǎng)截止IGBT具 備高電流能力、低傳導(dǎo)損耗和低開(kāi)關(guān)損耗、易于并聯(lián)運(yùn)行的正溫度系數(shù)、最大結(jié)溫： Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA（安全工作區(qū)）等優(yōu)勢(shì)，能夠在高頻應(yīng)用中滿足低能量損耗的要求。

飛兆的600V平面型場(chǎng)截止 （Field Stop Planar） IGBT是能夠用來(lái)滿足客戶需求的最好產(chǎn)品之一。對(duì)于高頻應(yīng)用中的低能量損耗要求，飛兆的600 V平面型場(chǎng)截止（Field Stop Planar） IGBT為客戶提供了解決方案。為繼續(xù)滿足客戶對(duì)于高功率密度的期望，并兼容各種市場(chǎng)應(yīng)用，飛兆在2012年推出了650 V溝槽型場(chǎng)截止（Field Stop Trench） IGBT。其目標(biāo)應(yīng)用為工作在中頻開(kāi)關(guān)頻率上的不間斷電源（uninterruptable power supply，UPS）和電焊機(jī)應(yīng)用。650 V溝槽型場(chǎng)截止（Field Stop Trench） IGBT擁有非常嚴(yán)格的關(guān)鍵參數(shù)控制，并通過(guò)加固設(shè)計(jì)來(lái)來(lái)保證短路特性來(lái)滿足目標(biāo)應(yīng)用。
飛兆650 V溝槽型場(chǎng)截止IGBT會(huì)繼續(xù)在高頻應(yīng)用中降低能量損耗和降低EMI等級(jí)等方面發(fā)展。
超級(jí)結(jié)MOSFET

飛兆半導(dǎo)體充分利用其高端工藝和前沿封裝技術(shù)，不斷推出高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品，積極應(yīng)對(duì)功率管理挑戰(zhàn)，以優(yōu)化電源、便攜式、照明、電機(jī)、計(jì)算以及消費(fèi)應(yīng)用產(chǎn) 品的能效。飛兆推出的超級(jí)結(jié)MOSFET，采用先進(jìn)制造工藝降低EPI電阻，解決了HV MOSFET中RDS（ON）的主要影響因素。超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)能夠有效隔離導(dǎo)電區(qū)域與電壓阻斷區(qū)域，在導(dǎo)通狀態(tài)下，重?fù)诫s外延區(qū)域可確保導(dǎo)通電阻 足夠低；在關(guān)斷狀態(tài)下，夾斷導(dǎo)電區(qū)域，充當(dāng)電壓持續(xù)層，可謂是突破硅限制的超級(jí)MOSFET。超級(jí)結(jié)MOSFET優(yōu)勢(shì)明顯，在較低的輸出電容（Eoss） 可獲得輕載條件下較高的效率；較高的體二極管耐用性和較小的反向恢復(fù)電荷（Qrr）能為諧振轉(zhuǎn)換器提供更可靠的系統(tǒng)。

在超級(jí)節(jié)（Super-junction）結(jié)構(gòu)中，通過(guò)增加N-epi摻雜濃度可以實(shí)現(xiàn)較低電阻而不犧牲擊穿電壓，因?yàn)樵诒砻鎝- well下增加了p-pillar。這對(duì)于既有的平面MOSFET來(lái)說(shuō)是不可能的，因?yàn)閾诫s濃度的增加會(huì)降低擊穿電壓。

飛兆的超級(jí)節(jié)能產(chǎn)品（SuperFET MOSFET， SupreMOS MOSFET）采用控制良好的工藝來(lái)制造。因此，在保持穩(wěn)定的工藝、保持高性能和高品質(zhì)的同時(shí)獲得具有較低RDS（ON） 和導(dǎo)通狀態(tài)電阻的產(chǎn)品。

SupreMOS MOSFET是第一個(gè)商業(yè)應(yīng)用的超級(jí)節(jié)產(chǎn)品之一，它使用了基于飛兆先進(jìn)工藝成功推出的溝道技術(shù)。相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt強(qiáng)度。
創(chuàng)新技術(shù)--高性能功率晶體管 SiC BJT

為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，滿足嚴(yán)格的能效規(guī)則和系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和電力電子設(shè)計(jì)人員正在挑戰(zhàn)他們自己，以便在他們的設(shè)計(jì)中降低功率損耗并改進(jìn) 可靠性。然而，這些在比如可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高密度電源、汽車(chē)和高溫工業(yè)鉆探等應(yīng)用設(shè)計(jì)中的努力會(huì)使他們的設(shè)計(jì)復(fù)雜化并導(dǎo)致整體系統(tǒng)成本更高。為 了幫助設(shè)計(jì)師滿足這些挑戰(zhàn)，在創(chuàng)新的高性能功率晶體管技術(shù)方面，隨著可理想適用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅（silicon carbide，SiC）技術(shù)解決方案的推出，飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)大了它的領(lǐng)導(dǎo)地位。

通過(guò)在它的產(chǎn)品組合中推出基于SiC的產(chǎn)品，飛兆在創(chuàng)新 的、高性能功率晶體管技術(shù)方面加強(qiáng)了它的產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)力。在飛兆的SiC產(chǎn)品組合中，第一個(gè)推出的產(chǎn)品系列是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管（bipolar junction transistors，BJT），可提供高效、大電流密度、穩(wěn)健性、和高溫工作的能力。通過(guò)采用格外有效的晶體管，飛兆的SiC BJT實(shí)現(xiàn)了更高的開(kāi)關(guān)頻率，因?yàn)槠渚哂懈偷膶?dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗（范圍從30 - 50%），在相同的系統(tǒng)外形尺寸下提供了多達(dá)40%的更高輸出功率。

這些穩(wěn)健的BJT使用了更小的電感、電容和散熱器，能夠降低總體系統(tǒng)成本達(dá)20%。由于具備更高效率和卓越的短路能力和反向偏壓安全工作區(qū)域，在優(yōu)化大功率變換應(yīng)用的電源管理中，這些行業(yè)領(lǐng)先的SiC BJT將起到至關(guān)重要的作用。

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